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外媒:三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存

据businesskorea报道,三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。businesskorea引述业内人士预测,三星将在128层的单片存储器上叠加96层...

三星电子 NAND Flash 闪存

存储器

科学家:UltraRAM技术可整合内存与闪存,耐用性极高

1月12日,据外媒TECHSPOT报道,本月早些时候,英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文,详细介绍...

内存 闪存 存储技术

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长江存储与Xperi达成3D NAND专利许可协议

近日,Xperi公司宣布,该公司已与长江存储签署了一项许可协议,该协议包括获得与Xperi的DBI混合键合技术相关的半导体知识产权...

NAND Flash 长江存储 闪存

存储器

募资4.3亿,这家主控厂商拟建设国产存储系统与SSD研发等项目

近日,同有科技发布公告称,拟募集资金4.3亿元,扣除发行费用后的净额用于国产存储系统与SSD研发及产业化项目和补充流动资金项目...

存储器 SSD固态硬盘 闪存

存储器

为5G智能手机打造 西部数据发布第二代UFS 3.1移动存储新品

为满足市场对5G智能手机存储提出的新需求,8月5日,西部数据举办媒体发布会,宣布推出其用于5G智能手机的第二代UFS 3.1存储解决方案...

闪存 西部数据

存储器

美光出货首款176层UFS 3.1 将于荣耀Magic3全球首发

今日(7月30日),据美光科技官微消息,公司已开始批量出货全球首款基于176层NAND技术的通用闪存UFS 3.1,美光表示...

闪存 美光科技 荣耀

存储器

整体供需状况显著改善,估第二季闪存价格上涨3~8%|TrendForce集邦咨询

根据TrendForce集邦咨询调查,第二季NAND Flash供应端在三星(Samsung)、长江存储(YMTC)、SK海力士(SK Hynix)与英特尔(Intel)的带领下...

NAND Flash 闪存

市场观察

铠侠Fab7工厂动工!第一阶段建设将于明年春季完成

2月25日,铠侠宣布在日本三重县四日市工厂举行了奠基仪式,最先进的半导体工厂(Fab7)正式破土动工...

存储器 闪存 铠侠

存储器

加快新型闪存技术产业化 英唐智控与中天弘宇等战略合作

日前,英唐智控发布公告,公司于11月27日与中天弘宇集成电路有限责任公司、中宇天智集成电路(上海)有限公司签署《合作协议书》...

芯片 闪存 电源管理

IC设计

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