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NEO发表最新3D X-AI芯片,新技术可取代HBM?

专注于3D DRAM、3D NAND存储器厂NEO Semiconductor发表最新3D X-AI芯片技术,取代目前用于AI GPU加速器的HBM....

存储技术 3D DRAM HBM

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我国存储技术突破!

近日,复旦大学和清华大学团队在存储芯片上创下新突破。复旦团队研发超快闪存集成工艺,可实现20纳秒超快编程、10年非易失....

存储器 存储技术 国产芯片

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清华团队发布3D DRAM存算一体架构!

近日,清华大学集成电路学院在2024 ACM/IEEE第51届年度计算机体系结构国际研讨会(ISCA)上发表了国际首款面向视觉AI大模型的....

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存储亮剑!NAND技术多点突破

近日恰逢全球存储会议FMS 2024(the Future of Memory and Storage)举行,诸多存储领域议题与前沿技术悉数亮相。其中....

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存储器和高能激光芯片设备有新突破!

近日,《nature》杂志更新了两则最新研究,明尼苏达大学团队研究出计算随机存取存储器CRAM,可以极大地减少人工智能(AI)....

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存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命

AI应用浪潮之下,高性能存储器需求持续攀升,以HBM为代表的DRAM风生水起。同时,为进一步满足市场需求,存储厂商也在酝酿新....

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中国团队存储器研究取得系列进展

近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、雷宇研究团队,在三维相变存储器(3D PCM)亚阈值读取电路、高可靠编程电路...

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存储大厂:CXL内存将于下半年爆发?

据《ZDNet Korea》报道,三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理Choi Jang-seok近日表示,即将推出的内存模块被指定为....

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AI存储新宠争夺战打响,QLC SSD会是下一个幸运儿吗?

2018年,OpenAI首次提出GPT模型,自此,新一轮的全球科技领域变革新篇章正式拉开序幕,人工智能浪潮迅速席卷全球....

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