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SK海力士相关资讯

英特尔大连公司更名为爱思开海力士,注册资本由5000万元变更为3.58亿元

天眼查显示,9月1日,英特尔半导体存储技术(大连)有限公司更名为爱思开海力士半导体存储技术(大连)有限公司...

SK海力士 英特尔

存储器

SK海力士引进存储器业界首台量产型High NA EUV设备

2025年9月3日,SK海力士宣布,已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV*)引进韩国利川M16工厂,并举行了设备入厂庆祝仪式...

SK海力士 ASML EUV光刻机

材料/设备

SK海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动DRAM

SK海力士宣布,已开发完成并开始向客户供应业界首款采用“High-K EMC*”材料的高效散热移动DRAM产品...

DRAM SK海力士

存储器

SK海力士宣布已开始量产321层QLC NAND闪存

SK海力士表示:“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发,再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度,经过全球客户公...

SK海力士 NAND Flash

存储器

SK海力士加速推进六层EUV工艺,力争高端存储市场领先

SK海力士近期推进其1cDRAM制程技术,成功实现六层极紫外光光刻技术的大规模整合,成为全球领先厂商之一...

DRAM SK海力士

存储器

SK海力士发布2025财年第二季度财务报告

2025年7月24日,SK海力士发布截至2025年6月30日的2025财年第二季度财务报告。公司2025财年第二季度营业收入为22.232万亿韩元,营业利润为9.2129万亿韩元...

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器

SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品UFS 4.1

2025年5月22日,SK海力士宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品...

SK海力士 NAND Flash 闪存

存储器

SK海力士发布2025财年第一季度财务报告

4月24日,SK海力士发布截至2025年3月31日的2025财年第一季度财务报告。公司2025财年第一季度结合并收入为17.6391万亿韩元,营业利润为7.4405万亿韩元

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器

SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客户验证, 引领数据中心存储技术创新

4月23日,SK海力士宣布,公司成功完成CMM(CXL Memory Module)- DDR5 96GB(千兆字节)产品的客户验证,是基于CXL* 2.0标准的DRAM解决方案产品...

DRAM SK海力士 DDR5

存储器

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